[13a-2S-1~8] 3.15 Silicon photonics

△ [13a-2S-8] Direct Modulation Response of GaInAsP/InP Membrane DFB Laser on Si substrate

〇(D)Daisuke Inoue¹, Hiratani Takuo¹, Fukuda Kai¹, Tomiyasu Takahiro¹, Amemiya Tomohiro², Nishiyama Nobuhiko¹, Arai Shigehisa^1,2 (1.Tokyo Inst., 2.QNERC)

Keywords:membrane laser,BCB Bonding,Direct Modulation

オンチップ光配線技術の実現に向けた極低消費電力光源として、我々は半導体薄膜構造による強光閉じ込め効果を用いた薄膜DFBレーザを提案してきた。今回、BCB貼り付け法によってSi基板に貼り付けをした薄膜DFBレーザの直接変調応答の測定を行い、バイアス電流1.03 mAにおいて-3dB帯域 9.5GHz、電流変調効率 としてDFBレーザとしては最も高い値である9.9 GHz/mA^1/2を得たのでご報告する。