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△ [13a-2S-8] Si基板上GaInAsP/InP薄膜DFBレーザの直接変調応答
キーワード:半導体薄膜レーザ、BCB貼り付け、直接変調
オンチップ光配線技術の実現に向けた極低消費電力光源として、我々は半導体薄膜構造による強光閉じ込め効果を用いた薄膜DFBレーザを提案してきた。今回、BCB貼り付け法によってSi基板に貼り付けをした薄膜DFBレーザの直接変調応答の測定を行い、バイアス電流1.03 mAにおいて-3dB帯域 9.5GHz、電流変調効率 としてDFBレーザとしては最も高い値である9.9 GHz/mA1/2を得たのでご報告する。