11:45 〜 12:00
△ [13a-2T-11] AlGaN/GaN界面の二次元電子ガスにおけるゼーベック係数の増大
キーワード:熱電素子、2DEG、AlGaN/GaN
一般セッション(口頭講演)
9 応用物性 » 9.4 熱電変換
2015年9月13日(日) 09:00 〜 12:15 2T (232)
座長:寺崎 一郎(名大),小林 航(筑波大),三上 祐史(産総研),阿武 宏明(山口東理大)
11:45 〜 12:00
キーワード:熱電素子、2DEG、AlGaN/GaN