[13a-2W-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[13a-2W-2] 局所的金誘起低温層交換法による擬似単結晶Ge/絶縁基板の位置制御成長(≦300℃)

〇(M1)青木 陸太¹、朴 鍾爀^1,2、宮尾 正信¹、佐道 泰造¹ (1.九大院システム情報、2.学振特別研究員)

キーワード：金誘起層交換

Geの高いキャリヤ移動度や光吸収特性を活かした高性能フレキシブルエレクトロニクスの実現には、絶縁基板上の所定の位置に方位制御された大粒径(≥10 mm)を有するGe結晶 (擬似単結晶)を低温(≦300℃)で形成する技術の創出が必須である。今回、Au触媒を用いた低温層交換法の局所化による擬似単結晶Geの位置制御を検討したので報告する。