[13a-2W-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[13a-2W-5] Al誘起成長におけるa-Si層の厚膜化が
poly-Siの成長メカニズムに及ぼす影響

〇筋原 康博¹、Sergii Tutashkonko²、高橋 勲¹、宇佐美 徳隆¹ (1.名古屋大工、2.JST-PV innovation)

キーワード：Al誘起成長、多結晶シリコン、成長

Al誘起成長（AIC）とはAl層とa-Si層をアニーリングにより層交換させながら、Siをアモルファス状態から結晶状態へ変化させる手法である。本研究ではa-Siの膜厚が、結晶の成長メカニズムや品質へ与える影響を検討した。結果、a-Si層の厚膜化に伴い、異方的な樹枝状成長をしていた結晶は、等方的な成長をすることが分かった。また、結晶方位は(001)方向が増加した。a-Si層の厚膜化は、Al中のSi原子濃度や核形成場所に影響したと考えられる。