[13a-2W-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [13a-2W-8] Fabrication of single crystalline GeSn wire on quartz substrate by lateral liquid phase growth and its optical characterization

〇(M2)takashi amamoto¹, kouhei tominaga¹, shougo tanaka¹, takuji hosoi¹, takayoshi shimura¹, heiji watanabe¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:GeSn,liquid-phase epitaxy

近年ディスプレイとLSIを一体形成するシステムオンパネル技術が注目されており、Ⅳ族の発光素子用材料として期待されるGeまたはGeSnのガラス基板上形成が重要である。これを目指して、横方向液相成長法を用いた石英基板上でのGeSn単結晶成長を検討した。石英基板を用いることで引張り歪みが増加した結果、発光特性が大幅に向上しており、これは将来的にGeを用いた発光素子を作製するに向けて、非常に意義のある研究結果であると言える。