[13a-2W-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [13a-2W-8] 横方向液相成長法による石英基板上単結晶GeSn細線の作製と光学特性評価

〇(M2)天本 隆史¹、冨永 幸平¹、田中 章吾¹、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：GeSn、液相成長

近年ディスプレイとLSIを一体形成するシステムオンパネル技術が注目されており、Ⅳ族の発光素子用材料として期待されるGeまたはGeSnのガラス基板上形成が重要である。これを目指して、横方向液相成長法を用いた石英基板上でのGeSn単結晶成長を検討した。石英基板を用いることで引張り歪みが増加した結果、発光特性が大幅に向上しており、これは将来的にGeを用いた発光素子を作製するに向けて、非常に意義のある研究結果であると言える。