2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[13a-4C-1~12] 13.3 絶縁膜技術

2015年9月13日(日) 09:00 〜 12:15 4C (432)

座長:渡邉 孝信(早大),右田 真司(産総研)

11:30 〜 11:45

[13a-4C-10] 放射光XRDによる強誘電性Hf(Si)O膜の構造解析

〇井野 恒洋1、高石 理一郎1、中崎 靖1、藤井 章輔1、松下 大介1 (1.東芝)

キーワード:強誘電、ハフニウム、Hf

放射光を用いたインプレーンXRDにより強誘電体となるHf(Si)Oの結晶構造を調べた。結果、反強誘電性のP42/nmc相に常誘電性のP21/c相が混合した状態ではなく、a = 5.054 nm, b = 5.231 nm, c = 5.060 nm の強誘電性の Pbc21相が主相であると考えられる。反強誘電性と考えられるPbca相に特徴的な超格子ピークは見られず、試料のCV特性は強誘電的であった。