[13a-4C-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[13a-4C-10] 放射光XRDによる強誘電性Hf(Si)O膜の構造解析

〇井野 恒洋¹、高石 理一郎¹、中崎 靖¹、藤井 章輔¹、松下 大介¹ (1.東芝)

キーワード：強誘電、ハフニウム、Ｈｆ

放射光を用いたインプレーンXRDにより強誘電体となるHf(Si)Oの結晶構造を調べた。結果、反強誘電性のP4₂/nmc相に常誘電性のP2₁/c相が混合した状態ではなく、a = 5.054 nm, b = 5.231 nm, c = 5.060 nm の強誘電性の Pbc2₁相が主相であると考えられる。反強誘電性と考えられるPbca相に特徴的な超格子ピークは見られず、試料のCV特性は強誘電的であった。