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[13a-4C-10] 放射光XRDによる強誘電性Hf(Si)O膜の構造解析
キーワード:強誘電、ハフニウム、Hf
放射光を用いたインプレーンXRDにより強誘電体となるHf(Si)Oの結晶構造を調べた。結果、反強誘電性のP42/nmc相に常誘電性のP21/c相が混合した状態ではなく、a = 5.054 nm, b = 5.231 nm, c = 5.060 nm の強誘電性の Pbc21相が主相であると考えられる。反強誘電性と考えられるPbca相に特徴的な超格子ピークは見られず、試料のCV特性は強誘電的であった。