2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[13a-4C-1~12] 13.3 絶縁膜技術

2015年9月13日(日) 09:00 〜 12:15 4C (432)

座長:渡邉 孝信(早大),右田 真司(産総研)

12:00 〜 12:15

[13a-4C-12] 強誘電体HfSiOキャパシタにおける上部TiN電極の形成プロセスの電気特性および膜物性に与える影響

〇上牟田 雄一1、藤井 章輔1、高石 理一郎1、井野 恒洋1、中崎 靖1、齋藤 真澄1、小山 正人1 (1.東芝研開セ)

キーワード：強誘電体、HfO2