[13p-1A-1~15] 機能性原子薄膜化合物材料の応用展開

△ [13p-1A-14] トポロジカル絶縁体超格子の電子状態に及ぼすファンデルワールス力の影響

〇齊藤 雄太¹、Fons Paul¹、KolobovA lexander V.¹、富永 淳二¹ (1.産総研ナノエレ)

キーワード：トポロジカル絶縁体、電子構造

GeTeやSb₂Te₃などの相変化材料は、光ディスクや不揮発性メモリ材料として研究されてきた。当グループでは、これらを超格子状に成膜することで、メモリ特性の向上を実現してきた。一方、Sb₂Te₃はトポロジカル絶縁体としても注目されている。GeTe/Sb₂Te₃超格子はトポロジカル絶縁体と通常の絶縁体の積層構造であるため、特異な電子構造を示すと予測されており、新規デバイスへの応用展開が期待される。Sb₂Te₃は層状化合物であり、Te-Te間にファンデルワールス力による弱い結合が存在するが、これまでの電子構造計算はこの力を考慮していなかった。本研究ではファンデルワールス力が超格子構造や電子状態に及ぼす影響を調査した。