[13p-1A-1~15] Trend of Functional Atomic Thin Film Application

[13p-1A-5] Photoluminescence of large-area monolayer WSe₂ film
modulated by electric field and carrier density

〇Keiichiro Matsuki¹, Jiang Pu¹, Daichi Kozawa², Kazunari Matsuda³, Lain-Jong Li⁴, Taishi Takenobu^1,5 (1.Waseda Univ., 2.JSPS, 3.Kyoto Univ., 4.KAUST, 5.Waseda ZAIKEN)

Keywords:transition metal dichalcogenides,optical properties of solids,charged exciton

WSe₂単層膜は膜厚1 nm以下の極薄構造を有する直接遷移型半導体であり、優れた閉じ込め構造を反映して大きな励起子束縛エネルギー（0.3 ~ 0.5 eV）が観測されている。CVD法により作製した大面積WSe₂単層膜を用い、両極性電気二重層トランジスタ（EDLT）を作製した。EDLTの特徴である強電界かつ高密度なキャリア蓄積下における発光特性を調べ、励起子と正・負トリオンに対する電場印加、電荷蓄積効果を明らかにした。