The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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Symposium

Symposium » Trend of Functional Atomic Thin Film Application

[13p-1A-1~15] Trend of Functional Atomic Thin Film Application

Sun. Sep 13, 2015 1:15 PM - 6:15 PM 1A (131+132)

座長:安藤 淳(産総研),吹留 博一(東北大)

2:45 PM - 3:00 PM

[13p-1A-5] Photoluminescence of large-area monolayer WSe2 film
modulated by electric field and carrier density

〇Keiichiro Matsuki1, Jiang Pu1, Daichi Kozawa2, Kazunari Matsuda3, Lain-Jong Li4, Taishi Takenobu1,5 (1.Waseda Univ., 2.JSPS, 3.Kyoto Univ., 4.KAUST, 5.Waseda ZAIKEN)

Keywords:transition metal dichalcogenides,optical properties of solids,charged exciton

WSe2単層膜は膜厚1 nm以下の極薄構造を有する直接遷移型半導体であり、優れた閉じ込め構造を反映して大きな励起子束縛エネルギー(0.3 ~ 0.5 eV)が観測されている。CVD法により作製した大面積WSe2単層膜を用い、両極性電気二重層トランジスタ(EDLT)を作製した。EDLTの特徴である強電界かつ高密度なキャリア蓄積下における発光特性を調べ、励起子と正・負トリオンに対する電場印加、電荷蓄積効果を明らかにした。