2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 界面ナノ電子化学 「進化する半導体ウェットプロセス ~シリコンから化合物まで~」

[13p-1B-1~10] 界面ナノ電子化学 「進化する半導体ウェットプロセス ~シリコンから化合物まで~」

2015年9月13日(日) 13:15 〜 17:45 1B (133+134)

座長:真田 俊之(静岡大)

13:30 〜 14:15

[13p-1B-2] パワーを制する者が未来を制する-Siも、SiCも、GaNも-

〇湯之上 隆1 (1.微細加工研究所)

キーワード:半導体、消費電力、洗浄技術

半導体産業が成長するためには「パワーの問題」を解決する必要がある。Si半導体ではスマートフォンやデータセンタなどの低消費電力化が最大の課題である。また効率的な電力供給のためには、Siより材料物性に優れたSiCやGaNが必要となっている。SiCやGaNが普及するには、最終的には低コスト化を実現しなくてはならない。Si半導体で「歩留り90%」を実現し驚異的な低コスト化に貢献してきた洗浄技術が役に立つと考えられる。