15:15 〜 15:45
[13p-1B-4] SiCの洗浄技術について
キーワード:半導体、炭化ケイ素、洗浄
SiC基板の洗浄には、基本的にはSiプロセスの応用が適していると考えられる。ただし、SiC基板表面においてはSi基板とは異なる特異な挙動が確認されており、これらのうち洗浄工程において考慮するべき特徴について報告する。
シンポジウム(口頭講演)
シンポジウム » 界面ナノ電子化学 「進化する半導体ウェットプロセス ~シリコンから化合物まで~」
2015年9月13日(日) 13:15 〜 17:45 1B (133+134)
座長:真田 俊之(静岡大)
15:15 〜 15:45
キーワード:半導体、炭化ケイ素、洗浄