2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 界面ナノ電子化学 「進化する半導体ウェットプロセス ~シリコンから化合物まで~」

[13p-1B-1~10] 界面ナノ電子化学 「進化する半導体ウェットプロセス ~シリコンから化合物まで~」

2015年9月13日(日) 13:15 〜 17:45 1B (133+134)

座長:真田 俊之(静岡大)

15:15 〜 15:45

[13p-1B-4] SiCの洗浄技術について

〇木下 博之1、七種 宏樹1、池田 潤也2、都筑 一夫2、吉本 昌広1 (1.京都工繊大、2.新興製作所)

キーワード:半導体、炭化ケイ素、洗浄

SiC基板の洗浄には、基本的にはSiプロセスの応用が適していると考えられる。ただし、SiC基板表面においてはSi基板とは異なる特異な挙動が確認されており、これらのうち洗浄工程において考慮するべき特徴について報告する。