2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 界面ナノ電子化学 「進化する半導体ウェットプロセス ~シリコンから化合物まで~」

[13p-1B-1~10] 界面ナノ電子化学 「進化する半導体ウェットプロセス ~シリコンから化合物まで~」

2015年9月13日(日) 13:15 〜 17:45 1B (133+134)

座長:真田 俊之(静岡大)

15:45 〜 16:15

[13p-1B-5] 溶融塩電気化学プロセスによる「炭素めっき」

〇辻村 浩行1、錦織 徳二郎1、伊藤 靖彦1 (1.アイ’エムセップ㈱)

キーワード:炭素、電気めっき、溶融塩

炭素源としてカーバイドイオン(C22-)を含む溶融塩中で、被処理材である金属基板を陽分極させると、金属基板上でC22-が電気化学的に酸化され、基板表面に高耐食性で導電性を持つ炭素めっき膜を形成することができる。この炭素めっき膜は,蓄電デバイス材料や高耐食性材料等,様々な用途展開が期待されており,現在,バレル方式やロール・トゥ・ロール方式を適用した大型連続炭素めっき処理装置の開発が進められている.