[13p-1B-1~10] 界面ナノ電子化学　「進化する半導体ウェットプロセス　～シリコンから化合物まで～」

[13p-1B-9] IPA中極微量金属汚染の分析手法

〇伊藤 雄大¹、土橋 和也¹、斉藤 美佐子¹ (1.東京エレクトロン㈱)

キーワード：半導体、金属汚染

LSIデバイス製造においてウェハ上の金属汚染は歩留まりを低下させる要因であるため非常に厳しい制御が求められている。IPAは洗浄プロセスの最終工程である乾燥工程で使われており、IPA中の金属不純物濃度を正しく計測し、管理していく必要がある。そこで我々はIPA中の極微量金属分析手法の検証を行い、課題を明確にした後、新たな分析手法の確立を行った。