[13p-1C-1~15] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[13p-1C-10] ミニマル装置を使用したリソグラフィ工程の変動要因の解析（Ⅱ）

〇北山 侑司¹、奥田 修史¹、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.ミニマルファブ技術研究組合、2.産総研)

キーワード：ミニマル

従来は、温湿度が一定に保たれたクリーンルームで半導体製造が行われてきた。しかし、ミニマルファブは、一般的なオフィス環境で半導体製造ができる反面、温湿度制御が不十分なため処理結果が変動しやすい。本研究では、特に温湿度の影響を受けやすいリソグラフィ工程で、温度と湿度を広いレンジで変化させ、レジスト膜厚の変化の様子を調べた。得られた結果から、温湿度の膜厚への影響度合いはほぼ一定であることが見いだされた。