2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[13p-1C-1~15] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2015年9月13日(日) 13:15 〜 17:15 1C (135)

座長:鉄田 博(日新イオン機器),上野 和良(芝浦工大)

16:15 〜 16:30

[13p-1C-12] 小型チェンバーを用いた高速ガス置換浅堀りボッシュプロセス

〇田中 宏幸1,2、小木曽 久人1,2、中野 禅1,2、速水 利泰2,3、宮崎 俊也2,3、富阪 賢一2,3、手錢 永充2,3、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ、3.SPPテクノロジーズ)

キーワード:ミニマル、MEMS、ICP

【従来】ボッシュプロセスは、ボッシュサイクル毎にスキャロップが発生する問題点があった。一方、ノンボッシュは、裾を引いたような形状となる問題があった。【本研究】では、極小チェンバーを用いた高速ガス置換によるスキャロップフリー形状と、対レジスト高選択比を維持した急峻なエッチング形状を実現した。このことにより、浅堀りプロセスへ適応したところミニマルリソグラフィの実効的な解像度を向上させることができた。