2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[13p-1C-1~15] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2015年9月13日(日) 13:15 〜 17:15 1C (135)

座長:鉄田 博(日新イオン機器),上野 和良(芝浦工大)

17:00 〜 17:15

[13p-1C-15] 局所クリーン化ミニマルPLADエア循環システム(Ⅴ)

〇谷島 孝1,2、安井 政治1,2、クンプアン ソマワン1,2、前川 仁1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ技術研究組合)

キーワード:ミニマルファブ

従来の半導体工場は、ウエハの大口径化に伴い巨大化し、建設費・運用費も巨額になっている。本研究はウエハと装置を極限まで小さくし、局所クリーン化技術により、クリーンルームレス環境でコンパクトな半導体生産を可能とする。PLAD(ミニマルシステム前室)の発塵源については既に報告しているが、今回再度パーティクル発生数の定量測定を行うとともに、換気効率の考え方を導入してパージエア流量の最適化について検討する。