[13p-1C-1~15] 13.4 Si wafer processing /MEMS/Integration technology

[13p-1C-2] Fabrication of Ring Oscillators Using Isolation Process by MINIMAL Fab

〇Fumito Imura^1,2, Kazuhiro Koga^1,2, Norio Umeyama^1,2, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL)

Keywords:minimal

論理回路の基本素子であるインバータ回路について抵抗負荷型pMOSインバータを作製することによって、ミニマルファブは十分なクリーン性能を有し、デバイスが作製できる製造システムであることを実証してきた。複数のトランジスタで構成された論理回路を動作させることは達成されていなかったため、SOIウェハを用いた素子分離プロセスにより、pMOSインバータで構成したリングオシレータを作製したので報告する。