[13p-1C-1~15] 13.4 Si wafer processing /MEMS/Integration technology

[13p-1C-6] Gas flow control in a micro chamber of the Minimal Si-CVD equipment

〇Noriko Miura¹, Yuuki Ishida^1,2, Takahiro Ito³, Takanori Mikahara^1,2, Shinichi Ikeda^1,2, Hitoshi Habuka⁴, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.MINIMAL, 2.AIST, 3.ORIENTAL MOTER, 4.Yokohama National Univ.)

Keywords:minimal,CVD,epitaxial

従来のSiエピ成長装置では、大容量のチャンバーを用い、多量のガスを流すため、熱対流がガス流に与える影響は少ない。一方、ミニマル装置では、加熱容量およびガス消費量を削減するため、チャンバー容積小さくしたが、その結果エピ厚に偏りが生じた。本研究では、気流シミュレーションを用いて微小チャンバー内の熱対流の影響を検証し、大気圧の1/10の減圧下ではガス流量を抑えつつ均一なガス流が得られることを見出した。