[13p-1C-1~15] 13.4 Si wafer processing /MEMS/Integration technology

[13p-1C-8] Preparation of PZT multi-layer films using continual process of Minimal PZT Sol-Gel Station

〇JUNKO KAZUSA¹, Kazuhiro Koga^1,2, Norio Umeyama^1,2, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.MINIMAL, 2.AIST)

Keywords:Minimal,PZT

チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）作製の一つであるゾルゲル法は一般的な臨界膜厚が100nm 程度で、必要な膜厚を得るためにはPZT 膜を重ねて多層にする必要がある。我々はハーフインチウェハ（φ12.5 mm）を用いた新たな生産システム、ミニマルファブの開発を進めてきた。PZT 薄膜形成の一連プロセスをミニマル装置一台で連続処理する装置を開発し、今回、PZT 膜の多層化と、ランピングレートを制御することで配向性を制御できたので報告する。