[13p-1C-1~15] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[13p-1C-8] ミニマル装置を用いた連続プロセスでのPZT多層膜形成

〇数佐 純子¹、古賀 和博^1,2、梅山 規男^1,2、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.ミニマルファブ技術研究組合、2.産総研)

キーワード：ミニマル、PZT

チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）作製の一つであるゾルゲル法は一般的な臨界膜厚が100nm 程度で、必要な膜厚を得るためにはPZT 膜を重ねて多層にする必要がある。我々はハーフインチウェハ（φ12.5 mm）を用いた新たな生産システム、ミニマルファブの開発を進めてきた。PZT 薄膜形成の一連プロセスをミニマル装置一台で連続処理する装置を開発し、今回、PZT 膜の多層化と、ランピングレートを制御することで配向性を制御できたので報告する。