16:00 〜 16:15
△ [13p-1D-11] トリハライド気相成長法を用いたInGaN厚膜成長
キーワード：窒化物半導体、InGaN、ハイドライド気相成長法
講演情報
一般セッション(口頭講演)
15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶
[13p-1D-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶
2015年9月13日(日) 13:15 〜 20:15 1D (141+142)
座長:斉藤 真(三菱化学),岡田 成仁(山口大),岩谷 素顕(名城大)
一般セッション(口頭講演)
15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶
2015年9月13日(日) 13:15 〜 20:15 1D (141+142)
座長:斉藤 真(三菱化学),岡田 成仁(山口大),岩谷 素顕(名城大)
16:00 〜 16:15
キーワード：窒化物半導体、InGaN、ハイドライド気相成長法