2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-1D-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月13日(日) 13:15 〜 20:15 1D (141+142)

座長:斉藤 真(三菱化学),岡田 成仁(山口大),岩谷 素顕(名城大)

16:30 〜 16:45

[13p-1D-13] HVPE法によるn型AlN基板作製と縦型ショットキーダイオードへの適用

〇山本 玲緒1,2、木下 亨1、永島 徹1、小幡 俊之1、高島 信也3、富樫 理恵2、熊谷 義直2、Schlesser Raoul4、Collazo Ramon5、纐纈 明伯2、Sitar Zlatko5 (1.株式会社トクヤマ、2.東京農工大学院工、3.富士電機株式会社、4.Hexa Tech, Inc.、5.North Carolina State University)

キーワード：n型AlN基板