2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-1D-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月13日(日) 13:15 〜 20:15 1D (141+142)

座長:斉藤 真(三菱化学),岡田 成仁(山口大),岩谷 素顕(名城大)

17:00 〜 17:15

[13p-1D-15] サファイア上AlNテンプレートの表面平坦性の検討

〇勝野 翔太1、萩原 康大1、安田 俊輝1、小出 典克1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、赤﨑 勇1,3、天野 浩2,3 (1.名城大理工、2.名古屋大工、3.名古屋大赤﨑研究記念センター)

キーワード：窒化物半導体、窒化アルミニウム