2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-1D-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月13日(日) 13:15 〜 20:15 1D (141+142)

座長:斉藤 真(三菱化学),岡田 成仁(山口大),岩谷 素顕(名城大)

17:30 〜 17:45

[13p-1D-17] ファセット表面加工基板上に成長した深紫外LED用高品質AlNテンプレート

〇金沢 裕也1,2、平山 秀樹1、前田 哲利1、定 昌史1、鎌田 憲彦2、鹿嶋 行雄3、松浦 恵里子3、嶋谷 聡4、小久保 光典5、田代 貴晴5、大川 貴史6、上村 隆一郎6、長田 大和6 (1.理研、2.埼玉大、3.丸文、4.東京応化、5.東芝機械、6.アルバック)

キーワード:表面加工基板、ウエットエッチング、窒化アルミニウムテンプレート

フォトリソグラフィ/ナノインプリント技術によって作製した6μm周期の三角格子パターンのウエットエッチングPSS上にMOCVDを用いてAlNを成膜した。異常成長が少なく平坦化が期待され、ボイドが観測された。