2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-1D-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月13日(日) 13:15 〜 20:15 1D (141+142)

座長:斉藤 真(三菱化学),岡田 成仁(山口大),岩谷 素顕(名城大)

19:15 〜 19:30

△ [13p-1D-23] Si基板上GaN結晶成長におけるAlN中間層を用いた応力制御のメカニズム

〇鈴木 道洋1、中村 亮裕1、杉山 正和1、中野 義昭1 (1.東大工)

キーワード：III-V 族窒化物結晶、Si基板上GaN結晶成長、応力制御