[13p-1D-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-1D-24] AlGaN/AlN歪層超格子を積層した4-inch Si(111)基板上に成長したGaN層中の転位観察

菅原 義弘¹、〇石川 由加里¹、渡辺 新²、三好 実人²、江川 孝志² (1.JFCC、2.名工大)

キーワード：GaN、転位、透過電子顕微鏡

4-inch Si(111)基板上にMOCVDでAlGaN/AlN歪層超格子を成長した後に成長した1umのGaN層中の転位を透過型電子顕微鏡および走査透過電子顕微鏡を用いて評価した。GaN層中で転位密度は1/3～1/4に減少した。GaN層中で転位の合成現象に加え、対消滅と思われる転位の結合が観察されたことから、これらが転位密度削減の主たる原因と推定した。