[13p-1D-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-1D-25] 走査透過型電子顕微鏡（STEM）によるSi(110)基板上に成長した極薄AlN/GaN超格子中の自己形成したマイクロクラックの観察

〇沈 旭強¹、高橋 言緒¹、井手 利英¹、清水 三聡¹ (1.産総研)

キーワード：窒化物

前回に、我々はMOCVD法による４インチSi(110)基板上に単純に薄いAlN/GaN超格子中間層を挿入し、その薄いAlN/GaN超格子中間層の周期数がその上に成長されたGaNに対する影響を報告した。今回、その超格子中間層に自己形成したマイクロクラックの断面観察行ったの、その結果を報告する。