[13p-1D-1~26] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [13p-1D-5] Effect of growth condition on growth rate of AlN grown from Ga-Al solution

〇Masayoshi Adachi¹, Ryuta Sekiya¹, Hiroyuki Fukuyama¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:liquid phase epitaxy,aluminum nitride

筆者らはGa-Alフラックスを用いたAlNのエピタキシャル成長法の開発を行なっている．窒化サファイア基板を用いることで，高品質なAlN膜を作製することに成功しているが，成長速度には課題が残る．そこで本研究では，フラックス組成・成長温度・供給ガス流量を変化させてAlN膜を成長させ，各条件が成長速度に及ぼす影響を調査した．