[13p-1D-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [13p-1D-5] Ga-Alを用いたAlN液相成長における成長条件と成長速度

〇安達 正芳¹、関谷 竜太¹、福山 博之¹ (1.東北大多元研)

キーワード：液相エピタキシャル成長、窒化アルミニウム

筆者らはGa-Alフラックスを用いたAlNのエピタキシャル成長法の開発を行なっている．窒化サファイア基板を用いることで，高品質なAlN膜を作製することに成功しているが，成長速度には課題が残る．そこで本研究では，フラックス組成・成長温度・供給ガス流量を変化させてAlN膜を成長させ，各条件が成長速度に及ぼす影響を調査した．