X線マイクロ回折法による半極性面(20-21)GaN厚膜の欠陥分布評価

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15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-1D-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月13日(日) 13:15 〜 20:15 1D (141+142)

座長:斉藤真(三菱化学),岡田成仁(山口大),岩谷素顕(名城大)

15:00 〜 15:15

〇内山星郎¹、竹内正太郎¹、荒内琢士¹、橋本健宏²、山根啓輔³、岡田成仁²、今井康彦⁴、木村滋⁴、只友一行²、酒井朗¹ (1.阪大院基礎工、2.山口大院理工、3.豊橋技科大、4.JASRI/SPring-8)

キーワード：半極性、X線マイクロ回折、窒化ガリウム