3:45 PM - 4:00 PM
△ [13p-1E-10] Precipitate Caused in Silicon Crystal by High-Temperature Prolonged Annealing in Nitrogen (Ⅳ)
Keywords:Nitride Precipitate,FZ Wafer,Annealing
チョクラルスキー(CZ)法によるシリコン結晶を原料として浮遊帯域溶融(FZ)法により育成した結晶ウェハに、窒素雰囲気中で高温長時間の熱処理を試みた場合、窒素析出物が発生する。今回は、ウェハ中に存在する析出物の分布を評価した結果を報告する。