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[13p-1E-2] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学(10)照射誘起の窒素・真正点欠陥複合体
キーワード:シリコン単結晶、赤外吸収、窒素・点欠陥複合体
窒素・点欠陥複合体はgrown-in欠陥抑制と深く関係していると見られる。通常の結晶では検出困難なため、照射と熱処理により増強して評価している。FZ結晶においては、照射によりN2吸収が減少し、その近傍に新たな吸収を生じた。また熱処理により高温ほど新しい吸収が減少すると共に、別の新しい吸収が現れた。800℃熱処理ではほぼ新しい吸収は消滅しN2吸収が回復した。この吸収の起源の候補としてVN2が考えられる。CZ結晶ではN2吸収の減少は観測されなかった。