[13p-1E-1~17] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[13p-1E-2] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学（10）照射誘起の窒素・真正点欠陥複合体

〇井上 直久^1,5、後藤 安則²、関 洋文³、渡邉 香⁴、河村 裕一⁵ (1.東京農工大、2.トヨタ自動車、3.東レリサーチ、4.ｼｽﾃﾑｽﾞｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ、5.大阪府大)

キーワード：シリコン単結晶、赤外吸収、窒素・点欠陥複合体

窒素・点欠陥複合体はgrown-in欠陥抑制と深く関係していると見られる。通常の結晶では検出困難なため、照射と熱処理により増強して評価している。FZ結晶においては、照射によりN₂吸収が減少し、その近傍に新たな吸収を生じた。また熱処理により高温ほど新しい吸収が減少すると共に、別の新しい吸収が現れた。800℃熱処理ではほぼ新しい吸収は消滅しN₂吸収が回復した。この吸収の起源の候補としてVN₂が考えられる。CZ結晶ではN_２吸収の減少は観測されなかった。