[13p-2E-1~16] 3.1 光学基礎・光学新領域

[13p-2E-16] 高純度GaAsエピ膜を用いた大きな電界屈折率変化

〇脇田 紘一¹、サプコタ ドウルガ²、吉田 拓矢¹、高橋 誠¹ (1.中部大学、2.ネパールテレコム)

キーワード：空間光変調器

高純度GaAsにおいて室温励起子吸収、大きなレッドシフトを観測した結果に基づき屈折率変化をクラマース―クローニッヒ変換で求め、大きな屈折率変化を求めた。