[13p-2H-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [13p-2H-11] 原子層平坦(Sr,Ba)SnO₃バッファー層導入によるLa:BaSnO₃薄膜の移動度の向上

〇(M2)西原 和貴¹、塩貝 純一¹、塚﨑 敦^1,2 (1.東北大金研、2.JST さきがけ)

キーワード：透明導電膜、移動度

BaSnO₃は高移動度を示す透明導電膜の候補物質として近年注目されている。しかしながら、SrTiO₃基板上に薄膜成長した場合、大きな格子不整合(5.5%)が要因で、薄膜の移動度が単結晶に比べて低いことが問題となっている。本研究では、SrTiO₃基板上に原子層平坦なBaSnO₃ / (Sr,Ba)SnO₃バッファー層を導入することによりLaドープBaSnO₃の移動度の向上を観測した。