2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13p-2H-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2015年9月13日(日) 13:45 〜 19:15 2H (222)

座長:矢嶋 赳彬(東大),藤原 宏平(東北大)

17:15 〜 17:30

△ [13p-2H-14] イオンゲートによるWO3薄膜の相変化とその空間分布

〇西早 辰一1、打田 正輝1、小塚 裕介1、岩佐 義宏1,2、川﨑 雅司1,2 (1.東大工、2.理研CEMS)

キーワード：三酸化タングステン、電気二重層トランジスタ、インターカレーション