[13p-2H-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [13p-2H-3] TiO₂(110)表面におけるsub-surface Tiサイトでの余剰電子の強い局在化

〇清水 亮太¹、神坂 英幸²、岩谷 克也³、大澤 健男⁴、白木 将¹、長谷川 哲也²、一杉 太郎¹ (1.東北大AIMR、2.東大院理、3.理研、4.物材機構)

キーワード：酸化物エレクトロニクス、走査型プローブ顕微鏡、ワイドギャップ半導体

走査トンネル顕微鏡/分光法により，TiO₂(110)表面における欠陥種とその電子状態を調べ，余剰電子の強い局在化の要因を検証した．STM像においては3種類の欠陥が確認され，表面酸素欠損(V_O)と水酸基(OH)の他に，5配位Ti列上に新たな欠陥を見出した．この欠陥中心は再表面の原子サイトではなく，第2層目Ti_subサイトに相当する．Ti³⁺由来の不純物準位の局所状態密度マップでは，Ti_subサイト上でのみ余剰電子の強い局在の可視化に成功した．