2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13p-2H-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2015年9月13日(日) 13:45 〜 19:15 2H (222)

座長:矢嶋 赳彬(東大),藤原 宏平(東北大)

14:45 〜 15:00

△ [13p-2H-5] Pt/TiO2/PtおよびAg/TiO2/Ptにおける抵抗スイッチング特性の評価

〇栗山 豊1、西 佑介1、木本 恒暢1 (1.京大院工)

キーワード：抵抗変化型メモリ、TiO2、フィラメント