[13p-2M-1~14] 原子・電子構造制御による次世代デバイス開発に向けた基礎研究と新展開 ―多元系化合物ベースの次期太陽電池・新規熱電物質・電子相関物質―

[13p-2M-3] 窒化物太陽電池の現状と課題

〇角谷 正友¹、Sang Liwen^1,2 (1.(研）物材機構、2.JST-さきがけ)

キーワード：III-V族窒化物薄膜

III-V族窒化物薄膜が太陽電池材料として認められるためには少なくとも変換効率が5%を超えなければならない。そのためにInGaN薄膜の高品質化とpi, ni界面でのシミュレーション結果を議論しながら、中間バンド形成などIII-V族窒化物薄膜太陽電池の高効率化に向けた我々の取り組みを紹介する。