[13p-2M-1~14] New approach to the next-generation device using multinary compounds -- novel fields of solar cells, thermoelectric materials, magnetic-dielectric materials --

[13p-2M-3] Progress of photovoltaic device based on III-V nitride film

〇Masatomo Sumiya¹, Sang Liwen^1,2 (1.NIMS, 2.JST-PRESTO)

Keywords:III-V nitride film

III-V族窒化物薄膜が太陽電池材料として認められるためには少なくとも変換効率が5%を超えなければならない。そのためにInGaN薄膜の高品質化とpi, ni界面でのシミュレーション結果を議論しながら、中間バンド形成などIII-V族窒化物薄膜太陽電池の高効率化に向けた我々の取り組みを紹介する。