2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[13p-2Q-1~27] 6.4 薄膜新材料

2015年9月13日(日) 13:15 〜 20:30 2Q (231-1)

座長:西川 博昭(近畿大),田中 勝久(京大),名村 今日子(京大),篠田 健太郎(産総研)

16:00 〜 16:15

[13p-2Q-11] Pulsed laser deposition法を用いた平坦なLiHエピタキシャル薄膜成長

〇大口 裕之1,2、礒部 繁人3,4、白木 将5、桑野 博喜1、折茂 慎一5,6、一杉 太郎5 (1.東北大院工、2.東北大μSIC、3.北海道大創成研究機構、4.北海道大院工、5.東北大AIMR、6.東北大金研)

キーワード:水素化物、エピタキシャル薄膜、表面平坦性

水素化物の多くは酸素や水分と瞬時に反応する性質(大気敏感性)を有していることから、成膜から評価まで一貫して大気非暴露で行う必要があり、PLDによる大気敏感水素化物の成長例はこれまで皆無であった。この状況を改善するため、我々はPLDを用いて、典型的な大気敏感水素化物であるLiHのPLD成膜に挑戦し、MgO基板上におけるエピタキシャル成長に成功した。本講演では、成長モードの理解に基づく、表面平坦なLiHエピタキシャル薄膜の作製について報告する。