2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[13p-2Q-1~27] 6.4 薄膜新材料

2015年9月13日(日) 13:15 〜 20:30 2Q (231-1)

座長:西川 博昭(近畿大),田中 勝久(京大),名村 今日子(京大),篠田 健太郎(産総研)

16:30 〜 16:45

[13p-2Q-12] HfO2成膜におけるPLDレーザー強度がSi基板の表面酸化に与える影響

〇(M1)上岡 聡史1、三宅 省三1、吉田 晴彦1、新船 幸二1、佐藤 真一1、堀田 育志1 (1.兵庫県立大学)

キーワード：high-k、SiO2、HfO2