[13p-2Q-1~27] 6.4 薄膜新材料

[13p-2Q-15] Mg₂Sn薄膜におけるAg添加プロセスとその効果

〇横山 達己¹、西谷 幹彦^1,2、森田 幸弘^1,2、倉敷 哲生¹ (1.大阪大学、2.パナソニック株式会社)

キーワード：薄膜、マグネシウムスズ、銀

現在，熱電変換材料としてBi₂Te₃やPbTeなどが高い熱電特性を示しているが，埋蔵量が少なく，毒性を有する課題が存在する． そこで， Mg₂Snは代替材料の１つとして室温近傍の温度で最も高い熱電特性が期待でき，Mg₂Sn薄膜における微構造の熱電特性に対する影響が議論されている．本研究では，Mg₂Sn薄膜へのAg添加を目的として予め非晶質基板上にAg薄膜を形成した後，Mg₂Sn薄膜成長を行い，得られた薄膜の微構造や熱電特性等を調べた．