[13p-2S-1~15] 3.15 Silicon photonics

[13p-2S-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] A low-loss SiON optical waveguide fabricated by ECR-PE CVD with SiD₄ gas

〇Kota Okazaki^1,2, Hidetaka Nishi^1,2, Tatsurou Hiraki^1,2, Tai Tsuchizawa^1,2, Koji Yamada^1,2, Tsuyoshi Yamamoto² (1.NTT Nanophotonics Ctr., 2.NTT Device Technology Labs.)

Keywords:silicon oxynitride (SiON) optical waveguide,low-temperature deposition,deuterated silane (SiD4)

シリコンフォトニクスにおいて，高品質なパッシブデバイスを実現するためにSiと石英の中間屈折率材料であるSiONに注目した．電子デバイス等との集積性を考慮して，バックエンドプロセス温度以下で作製されるSiON光導波路は，N-H基による1.5 μm帯光吸収が起きる問題があった．そこで，Si前駆体としてSiD₄ガスを用いた水素フリーガス系成膜を行い，低温においても大幅にN-H基吸収を抑制したSiON光導波路を実現した．