[13p-2S-1~15] 3.15 シリコンフォトニクス

[13p-2S-1] [講演奨励賞受賞記念講演] SiD₄を用いたECRプラズマCVD法により作製した低損失SiON光導波路

〇岡崎 功太^1,2、西 英隆^1,2、開 達郎^1,2、土澤 泰^1,2、山田 浩治^1,2、山本 剛² (1.NTTナノフォトニクスセンタ、2.NTT先端集積デバイス研)

キーワード：酸窒化珪素光導波路、低温成膜、重水素シラン

シリコンフォトニクスにおいて，高品質なパッシブデバイスを実現するためにSiと石英の中間屈折率材料であるSiONに注目した．電子デバイス等との集積性を考慮して，バックエンドプロセス温度以下で作製されるSiON光導波路は，N-H基による1.5 μm帯光吸収が起きる問題があった．そこで，Si前駆体としてSiD₄ガスを用いた水素フリーガス系成膜を行い，低温においても大幅にN-H基吸収を抑制したSiON光導波路を実現した．