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[13p-2V-2] ZnO単結晶基板に吸着したCdSe量子ドットの光吸収とイオン化ポテンシャル
キーワード:半導体量子ドット、ZnO単結晶、イオン化ポテンシャル
今回、基板の電子状態の効果を検討するため、ZnO単結晶に吸着したCdSe QDの光吸収とイオン化ポテンシャルの面方位依存性について検討を行った。光吸収からCdSe QDの吸着増加率、平均粒径、結晶性の評価を行った。増加率と結晶性は面方位依存性を示したが、平均粒径は面方位に依存しなかった。ZnO単結晶上のCdSe QDのHOMOエネルギーは、QDの吸着時間に比例して上昇すると共に、面方位依存性を示した。