[13p-2W-1~16] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [13p-2W-10] Ge_1-xSn_x Epitaxial Growth on Ge Substrate by MOCVD (3)

〇Kohei Suda¹, Seiya Ishihara¹, Naomi Sawamoto¹, Hideaki Machida², Masato Ishikawa², Hiroshi Sudoh², Yoshio Ohshita³, Koji Usuda⁴, Ichiro Hirosawa⁵, Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.Gas-phase Growth, 3.Toyota Technological Inst., 4.Toshiba Corporation, 5.Japan Synchrotron Radiation Research Inst.)

Keywords:GeSn,MOCVD,MOVPE

安全なGeおよびSn原料(t-C₄H₉GeH₃、(C₂H₅)₄Sn)を用いたMOCVD法により作製したGe_1-xSn_x膜の不純物混入メカニズムの解明を試みた。SIMS評価の結果、MOCVD法にも関わらずCなどの不純物の混入が低く抑えられていることが明らかになった。本結果に対し、第一原理計算を使用し、原料分解の観点から考察を実施したので報告する。