[13p-2W-1~16] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [13p-2W-10] MOCVD法によるGe基板上でのGe_1-xSn_xエピタキシャル成長 (3)

〇須田 耕平¹、石原 聖也¹、澤本 直美¹、町田 英明²、石川 真人²、須藤 弘²、大下 祥雄³、臼田 宏治⁴、広沢 一郎⁵、小椋 厚志¹ (1.明治大、2.気相成長、3.豊田工大、4.東芝、5.高輝度光科学研究セ)

キーワード：ゲルマニウムスズ、有機金属化学気相成長、有機金属気相エピタキシャル成長

安全なGeおよびSn原料(t-C₄H₉GeH₃、(C₂H₅)₄Sn)を用いたMOCVD法により作製したGe_1-xSn_x膜の不純物混入メカニズムの解明を試みた。SIMS評価の結果、MOCVD法にも関わらずCなどの不純物の混入が低く抑えられていることが明らかになった。本結果に対し、第一原理計算を使用し、原料分解の観点から考察を実施したので報告する。