2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[13p-2W-1~16] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2015年9月13日(日) 13:15 〜 17:30 2W (234-2(北側))

座長:黒澤 昌志(名大),都甲 薫(筑波大)

17:15 〜 17:30

▲ [13p-2W-16] Effects of in-situ Sb-Doping on Crystalline and Electrical Characteristics of Ge1-xSnx Epitaxial Layer

〇(M1)Jihee Jeon1, Takanori Asano1,2, Wakana Takeuchi1, Masashi Kurosawa1,3, Mitsuo Sakashita1, Osamu Nakatsuka1, Shigeaki Zaima1,3 (1.Grad. Sch. of Eng., Nagoya Univ., 2.JSPS Research Fellow, 3.EcoTopia Sci. Inst., Nagoya Univ.))

キーワード：GeSn,N type doping